在太陽(yáng)能的高效利用領(lǐng)域,直接光電化學(xué)(PEC)水裂解是緩解能源和環(huán)境問(wèn)題的一種極具前景的解決方案。然而,PEC的性能通常受到較差的光收集、較低的電荷分離和轉(zhuǎn)移、以及緩慢的水氧化動(dòng)力學(xué)所限制。為了解決上述問(wèn)題,科研人員開(kāi)發(fā)出各種可作為優(yōu)異光陽(yáng)極的材料用于PEC水裂解。其中,BiVO4因其具有合適的帶隙和低成本等優(yōu)點(diǎn),而被公認(rèn)為是最具前景的候選材料之一。然而,BiVO4光陽(yáng)極存在著電荷傳輸性能差和光腐蝕嚴(yán)重等問(wèn)題,長(zhǎng)期制約著PEC的性能。
在諸多策略中,通過(guò)負(fù)載合適的析氧助催化劑(OECs)進(jìn)行表面改性,被認(rèn)為是優(yōu)化BiVO4光陽(yáng)極PEC活性的可行方法。通常,OECs可以鈍化表面缺陷,加速表面水氧化的反應(yīng)動(dòng)力學(xué),從而促進(jìn)PEC系統(tǒng)中的電荷分離與傳輸。迄今為止,金屬氧化物和金屬氫氧化物通常被作為BiVO4光陽(yáng)極的OECs,通過(guò)抑制表面電荷的復(fù)合來(lái)提高PEC活性。然而,OECs與光陽(yáng)極之間的界面相互作用對(duì)BiVO4上光生電荷分離和傳輸?shù)挠绊懸恢北缓鲆?。因此,為了增?qiáng)PEC水裂解性能,設(shè)計(jì)穩(wěn)定的OECs/BiVO4光陽(yáng)極至關(guān)重要。
為了精確地調(diào)控電荷轉(zhuǎn)移,在PEC系統(tǒng)中引入電荷轉(zhuǎn)移層被認(rèn)為是一種很有前景的策略。通常,電荷提取層可以促進(jìn)光陽(yáng)極到OEC的空穴轉(zhuǎn)移,延長(zhǎng)光陽(yáng)極表面的空穴捕獲壽命。然而,直到目前為止,將單原子催化劑作為光陽(yáng)極上的電荷轉(zhuǎn)移層仍舊尚未報(bào)導(dǎo)。特別地,引入單原子可以通過(guò)調(diào)節(jié)電荷分布和調(diào)控單原子的配位環(huán)境來(lái)提高載體材料的析氧反應(yīng)性能。
侯軍剛教授團(tuán)隊(duì)在國(guó)際知名期刊Journal of the American Chemical Society上發(fā)表題為“Engineering single-atomic Ni-N4-O sites on semiconductor photoanodes for high-performance photoelectrochemical water splitting”的研究文章(J. Am. Chem. Soc.,2021,143, 20657?20669)。本工作在析氧助催化劑(OECs: FeOOH, NiOOH, NiOOH/FeOOH)和BiVO4光陽(yáng)極之間設(shè)計(jì)出具有軸向氧原子(M-N4-O)配位的原子級(jí)分散M-N4位點(diǎn)(M = Ni, Co, Fe);該設(shè)計(jì)可以促進(jìn)光生電子-空穴的分離,從而提高PEC活性。通過(guò)像差校正高角度環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電鏡、擴(kuò)展X射線(xiàn)吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)和X射線(xiàn)吸收近邊結(jié)構(gòu)表征,可以分析出Ni-N4和Ni-N4-O物種的局部原子配位構(gòu)型。值得注意的是,所制備出的FeOOH/Ni-N4-O/BiVO4光陽(yáng)極在1.23V電位下表現(xiàn)出創(chuàng)紀(jì)錄的6.0 mA cm–2光電流密度,以及卓越的長(zhǎng)期光穩(wěn)定性。根據(jù)X射線(xiàn)吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)分析和密度泛函理論計(jì)算,如此優(yōu)異的PEC性能可歸因于OEC/BiVO4中單原子Ni-N4-O物種的構(gòu)建,從而促進(jìn)空穴從BiVO4向OEC的傳輸,并降低反應(yīng)的自由能壘,加速PEC水裂解的反應(yīng)動(dòng)力學(xué)。
論文第一作者為大連理工大學(xué)張肖萌、翟潘龍和張艷雪,通訊作者為侯軍剛教授。
文章鏈接https://doi.org/10.1021/jacs.1c07391.
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